型号: | SMBG130C-HE3/52 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN |
文件页数: | 4/6页 |
文件大小: | 97K |
代理商: | SMBG130C-HE3/52 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBG13A-HE3/52 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG150-HE3/52 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG16-HE3/52 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG64-HE3/52 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG7.5A-HE3/5B | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBG13A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount TRANSZORB? Transient Voltage Suppressors |
SMBG13A/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 13V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG13A/5 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 13V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG13A/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 13V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG13A/54 | 功能描述:TVS 600W 13V UNI-DIR DO-215AA RoHS:否 类别:过电压,电流,温度装置 >> TVS - 二极管 系列:TransZorb® 标准包装:750 系列:TransZorb® 电压 - 反向隔离(标准值):48V 电压 - 击穿:53.3V 功率(瓦特):600W 电极标记:单向 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA,SMB 鸥翼型 供应商设备封装:DO-215AA 包装:带卷 (TR) |