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参数资料
型号： SMBG20-5B
厂商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类： TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述： 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
封装： PLASTIC, SMBG, 2 PIN
文件页数： 2/4页
文件大小： 1984K
代理商： SMBG20-5B
Electrical Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. V
F = 3.5V at IF = 50A (uni-directional only)
Device
Breakdown Voltage
Maximum
Device Type
Marking
V(BR) at IT(1)
Test
Stand-off
Reverse Leakage Peak Pulse Surge
Clamping
Modified
Code
(V)
Current
Voltage
at VWM
Current IPPM
Voltage at IPPM
Gull Wing
UNI
BI
Min
Max
IT (mA)
VWM (V)
I D (
A) (3)
(A)(2)
VC (V)
+SMBG5.0
KD
6.40
7.82
10
5.0
800
62.5
9.6
+SMBG5.0A(5)
KE
6.40
7.07
10
5.0
800
65.2
9.2
+SMBG6.0
KF
6.67
8.15
10
6.0
800
52.6
11.4
+SMBG6.0A
KG
6.67
7.37
10
6.0
800
58.3
10.3
+SMBG6.5
KH
AH
7.22
8.82
10
6.5
500
48.8
12.3
+SMBG6.5A
KK
AK
7.22
7.98
10
6.5
500
53.6
11.2
+SMBG7.0
KL
7.78
9.51
10
7.0
200
45.1
13.3
+SMBG7.0A
KM
7.78
8.60
10
7.0
200
50.0
12.0
+SMBG7.5
KN
AN
8.33
10.2
1.0
7.5
100
42.0
14.3
+SMBG7.5A
KP
AP
8.33
9.21
1.0
7.5
100
46.5
12.9
+SMBG8.0
KQ
AQ
8.89
10.9
1.0
8.0
50
40.0
15.0
+SMBG8.0A
KR
AR
8.89
9.83
1.0
8.0
50
44.1
13.6
+SMBG8.5
KS
AS
9.44
11.5
1.0
8.5
20
37.7
15.9
+SMBG8.5A
KT
AT
9.44
10.4
1.0
8.5
20
41.7
14.4
+SMBG9.0
KU
AU
10.0
12.2
1.0
9.0
10
35.5
16.9
+SMBG9.0A
KV
AV
10.0
11.1
1.0
9.0
10
39.0
15.4
+SMBG10
KW
AW
11.1
13.6
1.0
10
5.0
31.9
18.8
+SMBG10A
KX
AX
11.1
12.3
1.0
10
5.0
35.3
17.0
+SMBG11
KY
12.2
14.9
1.0
11
5.0
29.9
20.1
+SMBG11A
KZ
12.2
13.5
1.0
11
5.0
33.0
18.2
+SMBG12
LD
BD
13.3
16.3
1.0
12
5.0
27.3
22.0
+SMBG12A
LE
BE
13.3
14.7
1.0
12
5.0
30.2
19.9
+SMBG13
LF
14.4
17.6
1.0
13
1.0
25.2
23.8
+SMBG13A
LG
14.4
15.9
1.0
13
1.0
27.9
21.5
+SMBG14
LH
BH
15.6
19.1
1.0
14
1.0
23.3
25.8
+SMBG14A
LK
BK
15.6
17.2
1.0
14
1.0
25.9
23.2
+SMBG15
LL
BL
16.7
20.4
1.0
15
1.0
22.3
26.9
+SMBG15A
LM
BM
16.7
18.5
1.0
15
1.0
24.6
24.4
+SMBG16
LN
17.8
21.8
1.0
16
1.0
20.8
28.8
+SMBG16A
LP
LM
17.8
19.7
1.0
16
1.0
23.1
26.0
+SMBG17
LQ
18.9
23.1
1.0
17
1.0
19.7
30.5
+SMBG17A
LR
18.9
20.9
1.0
17
1.0
21.7
27.6
+SMBG18
LS
BS
20.0
24.4
1.0
18
1.0
18.6
32.2
+SMBG18A
LT
BT
20.0
22.1
1.0
18
1.0
20.5
29.2
+SMBG20
LU
22.2
27.1
1.0
20
1.0
16.8
35.8
+SMBG20A
LV
22.2
24.5
1.0
20
1.0
18.5
32.4
+SMBG22
LW
BW
24.4
29.8
1.0
22
1.0
15.2
39.4
+SMBG22A
LX
BX
24.4
26.9
1.0
22
1.0
16.9
35.5
+SMBG24
LY
BY
26.7
32.6
1.0
24
1.0
14.0
43.0
+SMBG24A
LZ
BZ
26.7
29.5
1.0
24
1.0
15.4
38.9
+SMBG26
MD
CD
28.9
35.3
1.0
26
1.0
12.9
46.6
+SMBG26A
ME
CE
28.9
31.9
1.0
26
1.0
14.3
42.1
+SMBG28
MF
31.1
38.0
1.0
28
1.0
12.0
50.0
+SMBG28A
MG
31.1
34.4
1.0
28
1.0
13.2
45.4
+SMBG30
MH
CH
33.3
40.7
1.0
30
1.0
11.2
53.5
+SMBG30A
MK
CK
33.3
36.8
1.0
30
1.0
12.4
48.4
Notes: (1) Pulse test: tp
≤ 50ms
(2) Surge current waveform per Fig. 3 and derate per Fig. 2
(3) For bi-directional types having VWM of 10 Volts and less, the ID limit is doubled
(4) All terms and symbols are consistent with ANSI/IEEE C62.35
(5) For the bidirectional SMBG/SMBJ5.0CA, the maximum V(BR) is 7.25V
+ Underwriters Laboratory Recognition for the classification of protectors (QVGQ2) under the UL standard for safety 497B and file number E136766
for both uni-directional and bi-directional devices
SMBG5.0 thru 188CA
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number 88456
2
24-Jul-03
相关PDF资料
PDF描述
SMBG22-52 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG28C-52 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG48CA-51 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG8.0C-51 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG90C-51 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
相关代理商/技术参数
参数描述
SMBG20A 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT
SMBG20A/1 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 20V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBG20A/2 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 20V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBG20A/2B 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 20V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBG20A/52 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 20V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
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