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参数资料
| 型号： | SMBG20 |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| 封装： | SMBG, 2 PIN |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 1565K |
| 代理商： | SMBG20 |
www.mccsemi.com
MCC
Peak Pulse Power (PPP) – Kilowatts versus
Pulse Width (TW) - Microseconds
Figure 4
Peak Pulse Power versus Pulse Width
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTIC
CURVE SMBG SERIES
Revision: 3
2003/04/30
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMLJ10C | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SML4729A-5AT | 3.6 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC |
| SML4733-5AT | 5.1 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC |
| SML4749A-5A | 24 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC |
| SA18A-B | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBG20A | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
| SMBG20A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 20V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG20A/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 20V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG20A/2B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 20V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG20A/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 20V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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