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参数资料
| 型号： | SMBG20CE3 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | SMBG20CE3 |
SURFACE MOUNT 600 Watt
Transient Voltage Suppressor
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
SMBJ5.0 thru SMBJ170A, CA, e3
and SMBG5.0 thru SMBG170A, CA, e3
SMB5.0–
170AC,
e3
GRAPHS
50
30
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
P
PP
–
Peak
Pulse
Power
–
kW
TC = 25
oC
0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
1000
10,000
Test waveform parameters: tr=10
μs, tw=1000 μs
tw – Pulse Width -
μs
FIGURE 2
FIGURE 1
Pulse Waveform for
Peak Pulse Power vs. Pulse Time
Exponential Surge
PAD LAYOUT
INCHES
mm
A
.260
6.60
B
.085
2.16
C
.110
2.79
INCHES
mm
A
0.320
8.13
B
0.085
2.16
C
0.110
2.79
C
–
Ca
pa
cita
nce
-
Pi
cofarads
Microsemi
Scottsdale Division
Page 4
Copyright
2007
6-20-2007 REV H
TL Lead Temperature
oC
V(BR) - Breakdown Voltage – Volts
Peak
Pulse
Power
(
P
PP
)or
conti
nuous
Power
in
P
ercent
of
25
o C
Rating
SMBJ
SMBG
FIGURE 3 -
Derating Curve
FIGURE 4
Typical Capacitance vs Breakdown Voltage
PACKAGE DIMENSIONS
A
B
C
D
E
F
K
L
MIN
.077
.160
.130
.205
.077
.235
.015
.030
MAX
.083
.180
.155
.220
.104
.255
.030
.060
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
MIN
1.96
4.06
3.30
5.21
1.95
5.97
.381
.760
MAX
2.10
4.57
3.94
5.59
2.65
6.48
.762
1.520
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBG26E3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG28CE3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG33CE3TR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG6.0CE3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG6.0E3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBG22 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
| SMBG22A | 制造商:GSI Technology 功能描述: |
| SMBG22A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 22V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG22A/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 22V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG22A/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 22V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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