型号: | SMBG26A/51 |
厂商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 75K |
代理商: | SMBG26A/51 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBG26CA/5B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG28CA/51 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG40C/5B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG5.0/51 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG5.0A/51 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBG26A-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 26V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG26A-E3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 26V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG26A-E3/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 26V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG26A-E3/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 26V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG26AHE3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 26V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |