型号: | SMBG26C-E3/51 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN |
文件页数: | 3/6页 |
文件大小: | 97K |
代理商: | SMBG26C-E3/51 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBG26CA-E3/55 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG6.5CA-E3/55 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG9.0C-E3/55 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG24CA-E3/51 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG6.5C-E3/55 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBG26CHE3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 26V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG26CHE3/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 26V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG26CHE3/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 26V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG28 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
SMBG28A | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:SURFACE MOUNT 600 Watt Transient Voltage Suppressor |