型号: | SMBG28CA-E3/51 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN |
文件页数: | 5/6页 |
文件大小: | 97K |
代理商: | SMBG28CA-E3/51 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMCG26A-E3/59T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
SMCJ20-E3/51T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ20A-E3/59T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
S3G/9T | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
SBLB25L20CT/31 | 12.5 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBG28CAHE3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 28V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG28CAHE3/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 28V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG28CAHE3/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 28V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG30 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
SMBG30/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 30V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |