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参数资料
型号： SMBG30A-TP
厂商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分类： TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述： TVS DIODE, DO-215AA
封装： SMBG, 2 PIN
文件页数： 8/9页
文件大小： 177K
代理商： SMBG30A-TP
Typical Capacitance ( pF) - picofarads versus
Breakdown Voltage (V BR) - Volts
Figure 3
Typical Capacitance versus Breakdown Voltage
Volts
Figure 1
Derating Curve
Milliseconds
0
1
2
3
4
5
6
0
25
50
75
100
0
Lead Temperature
°C
0
100
150
50
200
100
1.0
10
100
1000
10
100
1000
10000
MCC
Pulse Current (IP) In Percentage Of IPP – Amperes versus
Time (t) - Milliseconds
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTIC
CURVE SMBG SERIES
Figure 2
Pulse Waveform For Exponential Surge
Revision: 4
2008/12/04
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
8
of 9
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PDF描述
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参数描述
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SMBG30C/52 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBG30C/55 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBG30C/5B 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
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