型号: | SMBG48CAE3TR |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 182K |
代理商: | SMBG48CAE3TR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBG7.5CE3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBJ110CAE3TR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ12CE3TR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ54CE3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ9.0AE3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBG48CAHE3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 48V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG48CAHE3/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 48V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG48CAHE3/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 48V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG48C-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 48V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG48C-E3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 48V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |