型号: | SMBG51CA/2 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
封装: | PLASTIC, SMBG, 2 PIN |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 121K |
代理商: | SMBG51CA/2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
SMBG7.5/55 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG9.0CA/55 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMCJ120A/9T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ24A/59T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ24A/9T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
SMBG51CA-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 51V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG51CA-E3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 51V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG51CA-E3/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 51V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG51CA-E3/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 51V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG51CAHE3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 51V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |