型号: | SMBG7.0CE3TR |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 182K |
代理商: | SMBG7.0CE3TR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBG90E3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBJ100E3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ110E3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ18E3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ26CE3TR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBG75 | 制造商:GI 功能描述:NEW |
SMBG751A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SMBG751A - Bulk |
SMBG759A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE - Bulk |
SMBG75A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount TRANSZORB? Transient Voltage Suppressors |
SMBG75A-E3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |