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参数资料
| 型号： | SMBG7.5A |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | MS3470L14-4S |
| 中文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 209K |
| 代理商： | SMBG7.5A |
SURFACE MOUNT 600 Watt
Transient Voltage Suppressor
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 4
Copyright
2002
10-14-2003 REV C
W
M
.
C
SCOTTSDALE DIVISION
SMBJ5.0 thru SMBJ170CA
and SMBG5.0 thru SMBG170CA
S
GRAPHS
P
P
T
C
= 25
o
C
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
1000
10,000
Test waveform parameters: tr=10
μ
s, tp=1000
μ
s
FIGURE 2
Pulse Waveform for
Exponential Surge
tw – Pulse Width -
μ
s
FIGURE 1
Peak Pulse Power vs. Pulse Time
T
L
Lead Temperature
o
C
FIGURE 3 -
Derating Curve
V
(BR)
- Breakdown Voltage – Volts
FIGURE 4
Typical Capacitance vs. Breakdown
PAD LAYOUT
INCHES
.260
.085
.110
mm
6.60
2.16
2.79
A
B
C
INCHES
0.320
0.085
0.110
mm
8.13
2.16
2.79
A
B
C
SMBJ
SMBG
Voltage
C
P
P
P
)
P
o
C
PACKAGE DIMENSIONS
A
B
C
D
E
F
K
L
MIN
MAX
.077
.083
.160
.180
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
4.06
3.30
5.21
4.57
3.94
5.59
.130
.155
.205
.220
.075
.095
.235
.255
.015
.030
.030
.060
MIN
MAX
1.96
2.10
1.90
2.41
5.97
6.48
.381
.762
.760
1.520
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBG8.0 | SURFACE MOUNT 600 Watt Transient Voltage Suppressor |
| SMBG5.0 | SURFACE MOUNT 600 Watt Transient Voltage Suppressor |
| SMBG5.0A | SURFACE MOUNT 600 Watt Transient Voltage Suppressor |
| SMBG8.0A | SURFACE MOUNT 600 Watt Transient Voltage Suppressor |
| SMBG8.5A | SURFACE MOUNT TRANSZORB⑩ TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBG75A-E3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG75A-E3/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG75AHE3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG75AHE3/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG75CA/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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