- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录40276 > SMBG75 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SMBG75 |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | SMBG75 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBG150A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBG58 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBG110A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBG170A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBG64 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBG751A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SMBG751A - Bulk |
| SMBG759A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE - Bulk |
| SMBG75A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount TRANSZORB? Transient Voltage Suppressors |
| SMBG75A-E3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG75A-E3/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。