型号: | SMBG75A |
厂商: | GE Security, Inc. |
英文描述: | High Speed CMOS Logic Octal Positive-Edge Triggered D-Type Flip-Flops with 3-State Output 20-CDIP -55 to 125 |
中文描述: | 表面贴装TRANSZORB⑩瞬态电压抑制器 |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 209K |
代理商: | SMBG75A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBG75A-E3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG75A-E3/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG75AHE3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG75AHE3/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG75CA/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |