型号: | SMBG78C-E3/5B |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 94K |
代理商: | SMBG78C-E3/5B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBG78CA-E3/52 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG8.0C-E3/52 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG85C-E3/52 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG85CA-E3/52 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG90C-E3/52 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBG8.0 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount TRANSZORB? Transient Voltage Suppressors |
SMBG8.0/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 8.0V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG8.0/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 8.0V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG8.0A | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:SURFACE MOUNT 600 Watt Transient Voltage Suppressor |
SMBG8.0A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 8.0V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |