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参数资料
| 型号： | SMBG8.5A-TP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | TVS DIODE, DO-215AA |
| 封装： | SMBG, 2 PIN |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 177K |
| 代理商： | SMBG8.5A-TP |
Typical Capacitance ( pF) - picofarads versus
Breakdown Voltage (V BR) - Volts
Figure 3
Typical Capacitance versus Breakdown Voltage
Volts
Figure 1
Derating Curve
Milliseconds
0
1
2
3
4
5
6
0
25
50
75
100
0
Lead Temperature
°C
0
100
150
50
200
100
1.0
10
100
1000
10
100
1000
10000
MCC
Pulse Current (IP) In Percentage Of IPP – Amperes versus
Time (t) - Milliseconds
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTIC
CURVE SMBG SERIES
Figure 2
Pulse Waveform For Exponential Surge
Revision: 4
2008/12/04
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
8
of 9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBG85CA/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG85CA/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG85CA/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG85CA/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG85CA-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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