| 型号: | SMBG85AP |
| 厂商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类: | 参考电压二极管 |
| 英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| 封装: | SMBG, 2 PIN |
| 文件页数: | 1/6页 |
| 文件大小: | 1565K |
| 代理商: | SMBG85AP |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBG7.5P | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SK310AP | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC |
| SMAJ4760AP | 68 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC |
| SMBJ5371BP | 60 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
| SMBG5367AP | 43 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBG85CA/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG85CA/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG85CA/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG85CA/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG85CA-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |