型号: | SMBJ10-52-E3 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | PLASTIC, SMB, 2 PIN |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 111K |
代理商: | SMBJ10-52-E3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBJ10A-52-E3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ110-52-E3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ110-5B-E3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ110A-51-E3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ110A-5B-E3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ10A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 10volts 5uA 35.3 Amps Uni-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ10A R4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 10V 600W 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ10A R5 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 10V 600W 2-Pin SMB T/R |
SMBJ10A | 制造商:Littelfuse 功能描述:TVS DIODE 600W 10V DO-214AA |
SMBJ10A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 10V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |