型号: | SMBJ100C-HE3/52 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
文件页数: | 3/6页 |
文件大小: | 107K |
代理商: | SMBJ100C-HE3/52 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
SMBJ12C-HE3/5B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ16C-HE3/5B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ17A-HE3/52 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ58CA-HE3/5B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ7.5-HE3/5B | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
SMBJ100C-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 100V 600W 2-Pin SMB T/R |
SMBJ100E3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL UNI-DIR 100V 600W 2PIN DO-214AA - Bulk |
SMBJ100-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 100V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ100-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 100V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ100-E3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 100V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |