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参数资料
型号： SMBJ110A-W
厂商： RECTRON LTD
元件分类： TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述： 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封装： PLASTIC PACKAGE-2
文件页数： 5/5页
文件大小： 35K
代理商： SMBJ110A-W
Mounting Pad Layout
RECTRON
0.083 MIN.
(2.10 MIN.)
0.050 MIN.
(1.27 MIN.)
0.220 REF
0.106 MAX.
(2.69 MAX.)
Dimensions in inches and (millimeters)
相关PDF资料
PDF描述
SMBJ70C-W 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMCJ48A-W 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
SMCJ60C-W 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
SMCJ90A-W 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
SR1645CS-T 16 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
SMBJ110C 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 110Vr 600W 3.4A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ110C/2 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 110V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ110C/52 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 110V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ110C/55 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 110V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ110C/5B 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 110V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
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