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参数资料
| 型号： | SMBJ110A |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | SMBJ110A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ60A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ170 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBG100A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ110 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ130 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ110A R4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 110V 600W 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ110A R5 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 110V 600W 2-Pin SMB T/R |
| SMBJ110A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 110V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ110A/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 110V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ110A/2B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 110V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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