参数资料
| 型号： | SMBJ110A |
| 厂商： | Bourns Inc. |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE TVS 110V 600W UNI 5% SMD |
| 产品目录绘图： | SMAJ,SMBJ Series SMBJ Series Footprint |
| 特色产品： | SMAJ/SMBJ/SMCJ/SMLJ - Discrete TVS Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SMBJ |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 110V |
| 电压 - 击穿： | 122V |
| 功率（瓦特）： | 600W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2377 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SMBJ110ABDKR |
SMBJ Transient Voltage Suppressor Diode Series
Rating & Characteristic Curves
Pulse Derating Curve
100
Maximum Non-Repetitive Surge Current
120
100
75
80
50
60
40
25
10 x 1000 Waveform as Defined
by R.E.A.
20
Pulse Width 8.3 ms
Single Half Sine-Wave
(JEDEC Method)
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
1
2
5
10
20
50
100
Ambient Temperature ( °C)
Pulse Waveform
TR=10 μs
Number of Cycles at 60 Hz
Typical Junction Capacitance
10000
100
Peak value (IRSM)
TA = 25 °C
Half value=
IRSM
2
Pulse width (TP)
is defined as that point
1000
Bidirectional
Unidirectional
where the peak current
50
decays to 50 % of IPSM.
0
TA=25 °C
TP
10 x 1000 waveform
as defined by R.E.A.
100
10
0
1.0
2.0
3.0
4.0
1
10
100
1000
Pulse Rating Curve
100
T, Time (ms)
TA = 25 °C
Non-repetitive
Standoff Voltage (Volts)
Steady State Power Derating Curve
5.0
4.0
10
Pulse Waveform
Shown in Pulse Waveform Graph
3.0
2.0
1.0
0.1
5.0 mm Lead Areas
1.0
0.0
60 Hz Resistive or
Inductive Load
0.1 μs
1.0 μs
10 μs
100 μs
1.0 ms
10 ms
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TP, Pulse Width
TL, Lead Temperature (°C)
Speci?cations are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their speci?c applications.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 752101332G | RES ARRAY 3.3K OHM 9 RES 10-SRT |
| 94910-001AM | 001AM-RA 8P GANG JACK |
| 94908-588 | 588-MODIFIED L/P PCB III HO |
| DF3A-12P-2DS | CONN HEADER 12POS 2MM R/A TIN |
| FAD1-04020DHAW11 | FAN 40X20MM 24VDC HYDRO WIRE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ110A R4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 110V 600W 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ110A R5 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 110V 600W 2-Pin SMB T/R |
| SMBJ110A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 110V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ110A/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 110V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ110A/2B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 110V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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