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参数资料
型号： SMBJ11A-M3/5B
厂商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类： TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述： 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封装： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
文件页数： 2/6页
文件大小： 93K
代理商： SMBJ11A-M3/5B
www.vishay.com
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Document Number: 89284
2
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Revision: 20-Apr-11
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SMBJ5.0 thru SMBJ188CA
Vishay General Semiconductor
New Product
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
DEVICE TYPE
MODIFIED
“J” BEND LEAD
DEVICE MARKING
CODE
BREAKDOWN
VOLTAGE
VBR AT IT (1)
(V)
TEST
CURRENT
IT
(mA)
STAND-OFF
VOLTAGE
VWM
(V)
MAXIMUM
REVERSE
LEAKAGE
AT VWM
ID (μA) (3)
MAXIMUM
PEAK PULSE
SURGE
CURRENT
IPPM (A) (2)
MAXIMUM
CLAMPING
VOLTAGE AT
IPPM
VC (V)
UNI
BI
MIN.
MAX.
(+)SMBJ5.0
KD
6.40
7.82
10
5.0
800
62.5
9.6
(+)SMBJ5.0A (5)
KE
6.40
7.07
10
5.0
800
65.2
9.2
(+)SMBJ6.0
KF
6.67
8.15
10
6.0
800
52.6
11.4
(+)SMBJ6.0A
KG
6.67
7.37
10
6.0
800
58.3
10.3
(+)SMBJ6.5
KH
AH
7.22
8.82
10
6.5
500
48.8
12.3
(+)SMBJ6.5A
KK
AK
7.22
7.98
10
6.5
500
53.6
11.2
(+)SMBJ7.0
KL
7.78
9.51
10
7.0
200
45.1
13.3
(+)SMBJ7.0A
KM
7.78
8.60
10
7.0
200
50.0
12.0
(+)SMBJ7.5
KN
AN
8.33
10.2
1.0
7.5
100
42.0
14.3
(+)SMBJ7.5A
KP
AP
8.33
9.21
1.0
7.5
100
46.5
12.9
(+)SMBJ8.0
KQ
AQ
8.89
10.9
1.0
8.0
50
40.0
15.0
(+)SMBJ8.0A
KR
AR
8.89
9.83
1.0
8.0
50
44.1
13.6
(+)SMBJ8.5
KS
AS
9.44
11.5
1.0
8.5
20
37.7
15.9
(+)SMBJ8.5A
KT
AT
9.44
10.4
1.0
8.5
20
41.7
14.4
(+)SMBJ9.0
KU
AU
10.0
12.2
1.0
9.0
10
35.5
16.9
(+)SMBJ9.0A
KV
AV
10.0
11.1
1.0
9.0
10
39.0
15.4
(+)SMBJ10
KW
AW
11.1
13.6
1.0
10
5.0
31.9
18.8
(+)SMBJ10A
KX
AX
11.1
12.3
1.0
10
5.0
35.3
17.0
(+)SMBJ11
KY
12.2
14.9
1.0
11
5.0
29.9
20.1
(+)SMBJ11A
KZ
12.2
13.5
1.0
11
5.0
33.0
18.2
(+)SMBJ12
LD
BD
13.3
16.3
1.0
12
5.0
27.3
22.0
(+)SMBJ12A
LE
BE
13.3
14.7
1.0
12
5.0
30.2
19.9
(+)SMBJ13
LF
14.4
17.6
1.0
13
1.0
25.2
23.8
(+)SMBJ13A
LG
14.4
15.9
1.0
13
1.0
27.9
21.5
(+)SMBJ14
LH
BH
15.6
19.1
1.0
14
1.0
23.3
25.8
(+)SMBJ14A
LK
BK
15.6
17.2
1.0
14
1.0
25.9
23.2
(+)SMBJ15
LL
BL
16.7
20.4
1.0
15
1.0
22.3
26.9
(+)SMBJ15A
LM
BM
16.7
18.5
1.0
15
1.0
24.6
24.4
(+)SMBJ16
LN
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21.8
1.0
16
1.0
20.8
28.8
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LP
LM
17.8
19.7
1.0
16
1.0
23.1
26.0
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LQ
18.9
23.1
1.0
17
1.0
19.7
30.5
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LR
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20.9
1.0
17
1.0
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LS
BS
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LT
BT
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22.1
1.0
18
1.0
20.5
29.2
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LU
22.2
27.1
1.0
20
1.0
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LV
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20
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LW
BW
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29.8
1.0
22
1.0
15.2
39.4
(+)SMBJ22A
LX
BX
24.4
26.9
1.0
22
1.0
16.9
35.5
(+)SMBJ24
LY
BY
26.7
32.6
1.0
24
1.0
14.0
43.0
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BZ
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MD
CD
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ME
CE
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MF
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1.0
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1.0
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50.0
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MG
31.1
34.4
1.0
28
1.0
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45.4
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MH
CH
33.3
40.7
1.0
30
1.0
11.2
53.5
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MK
CK
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1.0
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1.0
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ML
CL
36.7
44.9
1.0
33
1.0
10.2
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MM
CM
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1.0
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MN
CN
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MP
CP
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CQ
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1.0
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(+)SMBJ40A
MR
CR
44.4
49.1
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40
1.0
9.3
64.5
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PDF描述
SMBJ12CA-M3/5B 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
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参数描述
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SMBJ11ATR 功能描述:TVS DIODE 11VWM 18.2VC SMB 制造商:smc diode solutions 系列:SMBJ 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:11V 电压 - 击穿（最小值）:12.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:18.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:33A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB（DO-214AA） 标准包装:1
SMBJ11C 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 11Vr 600W 33A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ11CA 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 11volts 5uA 33 Amps Bi-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ11CA R4 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 11V 600W 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
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