- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录231067 > SMBJ120.TF 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SMBJ120.TF |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 327K |
| 代理商： | SMBJ120.TF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ120C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ17CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ26.TB | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ30A.TB | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ70 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ12A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 12volts 600watts UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ12A R4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 12V 600W 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ12A | 制造商:Bourns Inc 功能描述:Diode 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DIODE TVS SMB 600W 12V |
| SMBJ12A | 制造商:Littelfuse 功能描述:TVS DIODE 600W 12V DO-214AA 制造商:Littelfuse 功能描述:TVS DIODE, 600W, 12V, DO-214AA |
| SMBJ12A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 12V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。