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参数资料
| 型号： | SMBJ12A/54 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS J-LEAD 600W 12V UNI-DIR SMD |
| 标准包装： | 750 |
| 系列： | TransZorb® |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 12V |
| 电压 - 击穿： | 13.3V |
| 功率（瓦特）： | 600W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | DO-214AA（SMB） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | SMBJ12A/1 SMBJ12A/1GITR SMBJ12A/1GITR-ND SMBJ12A/54GITR SMBJ12AGITR SMBJ12AGITR-ND |
SMBJ5.0A thru SMBJ188A
100
www.vishay.com
200
Vishay General Semiconductor
8.3 ms Single Half Sine- W a v e
Uni-Directional Only
100
10
1.0
0.1
10
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
1
10
100
t p - P u lse D u ration (s)
Fig. 5 - Typical Transient Thermal Impedance
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
DO-214AA (SMB-J-Bend)
Nu mber of Cycles at 60 Hz
Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
Mounting Pad Layout
Cathode Band
0.085 (2.159)
MAX.
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
0.086 (2.18)
MI N .
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
0.060 (1.52)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.060 (1.52)
MI N .
0.220 REF.
0.030 (0.76)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.008 (0.2)
0 (0)
Revision: 26-Jul-12
4
Document Number: 88392
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PEC29DBBN | CONN HEADER .100 DUAL R/A 58POS |
| 15-44-4121 | CONN HDR RECEPT VERT 42POS .100 |
| PBC25SBEN | CONN HEADER .100 SINGL R/A 25POS |
| 15-44-4112 | CONN HDR RECEPT VERT 24POS .100 |
| 5-104656-6 | CONN HEADER 60POS .050 VERT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ12A-7 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 12V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ12A-7P | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 12V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ12A822 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| SMBJ12A933 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS SMB PKG RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ12A933_Q | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS SMB PKG RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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