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参数资料
| 型号： | SMBJ130A |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | SMBJ130A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ75CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMDA12C | 300 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| SMDA24 | 300 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| SMPT-18C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SSA130CA | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ130A R4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 130V 600W 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ130A R5 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 130V 600W 2-Pin SMB T/R |
| SMBJ130A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 130V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ130A/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 130V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ130A/2B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 130V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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