型号: | SMBJ130C-E3/5B |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 105K |
代理商: | SMBJ130C-E3/5B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBJ22CA-E3/5B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ6.0C-E3/5B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ120CAHE3/52 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ160CAHE3/5B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ160HE3/52 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ130CHE3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 130V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ130CHE3/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 130V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ130CHE3/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 130V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ130E3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL UNI-DIR 130V 600W 2PIN DO-214AA - Bulk |
SMBJ130E3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:600W, STAND-OFF VOLTAGE = 130V, ? 10%, UNI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 600W 130V 10% UNIDIR SMBJ |