型号: | SMBJ13C |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 219K |
代理商: | SMBJ13C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBJ26 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SMBJ6.5C | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SMBJ18 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SMBJ20C | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SMBJ51C | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ13C/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 13V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ13C/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 13V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ13C/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 13V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ13C/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 13V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ13CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 13volts 5uA 27.9 Amps Bi-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |