型号: | SMBJ14AT3 |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 41K |
代理商: | SMBJ14AT3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBJ150CT1 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
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SMBJ6.5T3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ75AT1 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ78AT3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ14A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 14V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ14ATR | 功能描述:TVS DIODE 14VWM 23.2VC SMB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):14V 电压 - 击穿(最小值):15.6V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:23.2V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):25.8A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMB(DO-214AA) 标准包装:1 |
SMBJ14C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 14Vr 600W 25.9A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ14C/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 14V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ14C/5 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 14V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |