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参数资料
| 型号： | SMBJ150C |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | SMBJ150C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ7.0CA-7 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SD1100C25L | 910 A, 2500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| SD8500C06R | 9570 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SMP1307-019 | SILICON, PIN DIODE |
| SF4001 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ150C/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ150C/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ150C/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ150C/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ150CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 150V 600W SMB Bidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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