- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录31229 > SMBJ150C 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SMBJ150C |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 230K |
| 代理商： | SMBJ150C |
Silicon Avalanche Diodes
265
www .littelfuse .com
6
SILICON
DIODE
ARRA
YS
600W Surface Mount Transient Voltage Supressors
SMBJ Series
Package Outline Dimensions and Pad Layout
2.16
2.74
2.16
2.26
Solder Pads
All dimensions in mm
RoHS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ16 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ26 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ28 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ30 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ36 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ150C/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ150C/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ150C/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ150C/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 150V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ150CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 150V 600W SMB Bidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。