型号: | SMBJ15CT1 |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 41K |
代理商: | SMBJ15CT1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
SMBJ26CAT3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ60T1 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SF167A | 16 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
SDR621CTMD | 40 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
SMAJ160CA | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
SMBJ15E3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL UNI-DIR 15V 600W 2PIN DO-214AA - Bulk |
SMBJ15-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 15V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ15-E3/2C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 15V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ15-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 15V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ15-E3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 15V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |