参数资料
| 型号： | SMBJ160A-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS UNI-DIR 160V 600W SMB |
| 产品目录绘图： | SMBJ Series Side SMBJ Series Top |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SMBJ |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 160V |
| 电压 - 击穿： | 178V |
| 功率（瓦特）： | 600W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SMBJ160ADIDKR |
SMBJ5.0(C)A - SMBJ170(C)A
100
75
10,000
Uni-directional
Measured at
zero bias
1000
50
Bi-directional
100
25
0
10 X 1000 Waveform
as defined by REA
10
T j = 25 ° C
f = 1.0 MHz
V sig = 50 mV p-p
0
25
50
75
100
125
150
175 200
1
10
100
1000
100
10
1.0
0.1
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 1 Pulse Derating Curve
T j = 25 ° C
Non Repetitive
Pulse Waveform
Shown in Fig. 4
V RWM , REVERSE STANDOFF VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Total Capacitance
0.1
1.0
10
100
1000
10000
t, TIME (ms)
Fig. 4 Pulse Waveform
120
Pulse Width 8.3ms
5.0
100
Single Half-Sine-Wave
4.0
80
3.0
60
2.0
40
1.0
20
0
1
2
5
10
20
50
100
0.0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
Fig. 5 Maximum Non-Repetitive Surge Current
T L , LEAD TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 6 Steady State Power Derating Curve
SMBJ5.0(C)A - SMBJ170(C)A
Document number: DS19002 Rev. 17 - 2
3 of 5
June 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSQ-142-01-T-S | CONN RCPT .100" 42POS SNGL TIN |
| 929975-01-29-RK | CONN RECEPT .100 DUAL STR 58POS |
| SSQ-121-01-T-D | CONN RCPT .100" 42POS DUAL TIN |
| MMS-116-02-T-SV | CONN RCPT 2MM 16POS SGL VERT SMD |
| SSQ-107-03-G-D | CONN RCPT .100" 14POS DUAL GOLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ160A-13-F | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 160.0V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ160A-7 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 160V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ160A-7P | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 160V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ160AE3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL UNI-DIR 160V 600W 2PIN DO-214AA - Bulk |
| SMBJ160A-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 160V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。