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参数资料
| 型号： | SMBJ16CA-TR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 4000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | SMBJ16CA-TR |
Characteristics
SMBJ
4/10
Doc ID 5616 Rev 10
Figure 5.
Clamping voltage versus peak pulse current (exponential waveform, maximum values)
Figure 3.
Peak pulse power dissipation
versus initial junction temperature
Figure 4.
Peak pulse power versus
exponential pulse duration
(Tj initial = 25 °C)
0
100
200
300
400
500
600
700
0
25
50
75
100
125
150
175
P
pp (W)
Tj(°C)
0.1
1.0
10.0
100.0
1.0E-03
1.0E-021.0E-011.0E+00
1.0E+01
P
PP(kW)
T
j initial = 25 °C
tP(ms)
IPP(A )
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
1
10
100
1000
10/1000 s
Tj initial=25 °C
8/20 s
10 ms
SM
BJ
5
.0
A
SM
BJ
1
8
A
SM
BJ
1
2
A
SM
BJ
2
4
A
SM
BJ
4
0
A
SM
BJ
8
5
A
SM
BJ
5
.0
A
SM
BJ
1
8
A
SM
BJ
1
2
A
SM
BJ
2
4
A
SM
BJ
4
0
A
SM
BJ
8
5
A
V CL(V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ20A-TR | 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ40A-TR | 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ13C | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ26 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ6.5C | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ16CE3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 16V 600W 2PIN DO-214AA - Bulk |
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| SMBJ16C-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 16V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ16C-E3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 16V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ16C-E3/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 16V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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