型号: | SMBJ17-HE3/5B |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
文件页数: | 2/6页 |
文件大小: | 107K |
代理商: | SMBJ17-HE3/5B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBJ170C-HE3/5B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ17C-HE3/52 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ188C-HE3/52 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ18CA-HE3/52 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ22A-HE3/52 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ18 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 18Vr 600W 20.6A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ18/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 18V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ18/2 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE TVS SMB 600W 18V |
SMBJ18/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 18V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ18/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 18V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |