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参数资料
| 型号： | SMBJ170A.TB |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 327K |
| 代理商： | SMBJ170A.TB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ36C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ64.TB | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ75.TB | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ100C.TF | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ11.TB | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ170A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 170V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ170ATR | 功能描述:TVS DIODE 170VWM 275VC SMB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:170V 电压 - 击穿（最小值）:189V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:275V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:2.2A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB（DO-214AA） 标准包装:1 |
| SMBJ170A-TR | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 170V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ170C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 170Vr 600W 2.2A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ170C/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 170V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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