型号: | SMBJ200 |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 230K |
代理商: | SMBJ200 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SC180H045S5PPBF | 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SC180R015S5FPBF | 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SC180R015A5FPBF | 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SC200H150A5PPBF | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SK3080CD2 | 15 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ200A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 200Vr 600W 1.9A 5% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ200AE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:600W, STAND-OFF VOLTAGE = 200V, ? 5%, UNI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 600W 200V 5% UNIDIR SMBJ |
SMBJ200C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 200Vr 600W 1.9A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ200CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 200Vr 600W 1.9A 5% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ200CAE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:600W, STAND-OFF VOLTAGE = 200V, ? 5%, BI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 600W 200V 5% BIDIR SMBJ |