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参数资料
| 型号： | SMBJ26CA.TB |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 327K |
| 代理商： | SMBJ26CA.TB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SMBJ120CA-E3/55 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ7.0CA-E3/55 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ45CA-E3/2C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ26CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 26V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ26CATR | 功能描述:TVS DIODE 26VWM 42.1VC SMB 制造商:smc diode solutions 系列:SMBJ 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:26V 电压 - 击穿（最小值）:28.9V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:42.1V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:14.2A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB（DO-214AA） 标准包装:1 |
| SMBJ26CA-TR | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 USE 625-SMBJ26CA DO-214AA 26V 600W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ26CE3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 26V 600W 2PIN DO-214AA - Bulk |
| SMBJ26C-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 26V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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