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参数资料
| 型号： | SMBJ26CA |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | SMBJ26CA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SM18PHN134 | 120 A, 1800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SW25CXC18C | 5100 A, 3400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SB802G | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| SB807G | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| SF86G | 8 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ26CA R4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 26V 600W 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ26CA | 制造商:Littelfuse 功能描述:TVS DIODE 600W 26V DO-214AA 制造商:Littelfuse 功能描述:TVS DIODE, 600W, 26V, DO-214AA |
| SMBJ26CA/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 26V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ26CA/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 26V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ26CA/2B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 26V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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