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参数资料
| 型号： | SMBJ2K4.5E3TR |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | SMBJ2K4.5E3TR |
UNIDIRECTIONAL LOW VOLTAGE
SURFACE MOUNT TRANSIENT
VOLTAGE SUPPRESSOR
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
SMBJ2K3.0 thru SMBJ2K5.0, e3
SMBG2K3.0 thru SMBG2K5.0, e3
SMBG
&J2
K
3.0-5.0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
BREAKDOWN VOLTAGE
Minimum
V(BR)
BREAKDOWN
CURRENT
I(BR)
RATED
STANDOFF
VOLTAGE
VWM
MAX
STANDBY
CURRENT
ID @ VWM
MAX
CLAMPING
VOLTAGE
VC @ IPP
PEAK PULSE
CURRENT
IPP
TEMPERATURE
COEFFICIANT
of
V(BR)
αV(BR)
MICROSEMI
PART
NUMBER
(add SMBJ or
SMBG prefix)
V
mA
V
μA
V
A
% /
oC
2K3.0
2K3.3
2K4.0
2K4.5
2K5.0
4.3
4.6
5.0
5.4
5.9
50
3.0
3.3
4.0
4.5
5.0
1500
700
400
50
5
5.4
5.8
6.3
6.6
7.6
10
+0/-0.05
±0.025
±0.030
±0.040
+0.050
SYMBOLS & DEFINITIONS
Symbol
Definition
Symbol
Definition
VWM
Working Peak (Standoff) Voltage
IPP
Peak Pulse Current
PPP
Peak Pulse Power
VC
Clamping Voltage
V(BR)
Breakdown Voltage
I(BR)
Breakdown Current for V(BR)
ID
Standby Current
GRAPHS
P
PP
–
Peak
Pulse
Power
–
kW
tw – Pulse Width -
μs
Test waveform parmeters: tr=8
μs, tp=20 μs
FIGURE 1
FIGURE 2
Peak Pulse Power vs. Pulse Time
Pulse Waveform for
8/20 s Exponential Surge
Microsemi
Scottsdale Division
Page 2
Copyright
2007
6-21-2007 REV G
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SC275S030S | 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SD150N04PSV | 150 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC |
| SD300N06MC | 380 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB |
| SD300R30PC | 380 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB |
| SD400R08PSV | 480 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ2K5.0 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR DO-214AA SD - Bulk |
| SMBJ30 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 30Vr 600W 12.4A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ30/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 30V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ30/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 30V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ30/2 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE TVS SMB 600W 30V |
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