型号: | SMBJ30-M3/5B |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
文件页数: | 5/6页 |
文件大小: | 93K |
代理商: | SMBJ30-M3/5B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
SMBJ45CA-M3/5B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ6.5A-M3/5B | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMCJ130A-M3/57T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ14A-M3/57T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ188A-M3/9AT | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
SMBJ33 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 33Vr 600W 11.3A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ33/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ33/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ33/2 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE TVS SMB 600W 33V |
SMBJ33/2B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |