型号: | SMBJ30A.TB |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 327K |
代理商: | SMBJ30A.TB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBJ70 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ8.0A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ8.5C.TF | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMCJ10C.TF | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ11 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ30A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 30V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ30ATR | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 30V 600W 2-Pin DO-214AA T/R |
SMBJ30A-TR | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 30V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ30C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 30Vr 600W 12.4A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ30C/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |