参数资料
型号: SMBJ30A
元件分类: TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述: 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
文件页数: 1/4页
文件大小: 327K
代理商: SMBJ30A
相关PDF资料
PDF描述
SMBJ58A.TF 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ58A 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ7.5 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ75.TF 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ85 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
相关代理商/技术参数
参数描述
SMBJ30A R4 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 30V 600W 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ30A 制造商:Bourns Inc 功能描述:Diode 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DIODE TVS SMB 600W 30V
SMBJ30A 制造商:Littelfuse 功能描述:TVS DIODE 600W 30V DO-214AA
SMBJ30A.TF 制造商:Semtech Corporation 功能描述:600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ30A/1 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 30V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C