型号: | SMBJ30ATR |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 182K |
代理商: | SMBJ30ATR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBG10CTR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG170CTR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBJ11CATR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ130CATR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ51CATR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ30A-TR | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 30V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ30C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 30Vr 600W 12.4A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ30C/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ30C/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ30C/2B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |