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参数资料
| 型号： | SMBJ33.TF |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 327K |
| 代理商： | SMBJ33.TF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ33C.TB | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ40A.TB | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ58CA.TB | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ6.0CA.TF | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ6.5CA.TF | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ350 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 350Vr 600W 1.1A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ350A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 350Vr 600W 1.1A 5% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ350A-13-F | 功能描述:MOSFET Transient Voltage Su SMB T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SMBJ350AE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:600W, STAND-OFF VOLTAGE = 350V, ? 5%, UNI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 600W 350V 5% UNIDIR SMBJ |
| SMBJ350C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 350Vr 600W 1.1A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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