- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录219854 > SMBJ33A.TF 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SMBJ33A.TF |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 327K |
| 代理商： | SMBJ33A.TF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ6.0C.TB | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ7.0.TF | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ90.TB | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMCJ11C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SMCJ28C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ33A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 33V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ33ATR | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ33A-TR | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ33C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 33Vr 600W 11.3A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ33C/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。