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参数资料
| 型号： | SMBJ33CAT1 |
| 厂商： | CRYDOM CORP |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 180K |
| 代理商： | SMBJ33CAT1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ5.0CAT1 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ60T3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ130CT1 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ130T3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ160CAT1 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ33CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 33V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ33CATR | 制造商:SynSemi Inc 功能描述: |
| SMBJ33CA-TR | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ33CE3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 33V 600W 2PIN DO-214AA - Bulk |
| SMBJ33C-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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