| 型号: | SMBJ36ATR |
| 厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数: | 6/6页 |
| 文件大小: | 98K |
| 代理商: | SMBJ36ATR |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBT2222E6433 | 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| SMBT3904E6327 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| SMBT4124E6327 | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| SMBT4124E6327 | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| SMBT5086E6327 | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ36A-TR | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| SMBJ36C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 36Vr 600W 10.4A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ36C/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 36V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ36C/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 36V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ36C/2B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 36V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |