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参数资料
| 型号： | SMBJ3V3/52 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | SMBJ3V3/52 |
Document Number 88940
08-Sep-06
www.vishay.com
3
SMBJ3V3
Vishay General Semiconductor
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Reverse Voltage (V)
C
-
J
u
nction
Capacitance
(pF)
J
100
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
Figure 7. Typical Peak Forward Voltage Drop vs. Peak
Forward Current
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
VF - Forward Voltage Drop (V)
IF
-
Peak
For
w
ard
C
u
rrent
(A)
Tj = 175 °C
Tj = 25 °C
0.160 (4.06)
0.180 (4.57)
0.006 (0.152)
0.012 (0.305)
0.030 (0.76)
0.060 (1.52)
0.205 (5.21)
0.220 (5.59)
0 (0)
0.008 (0.2)
0.130 (3.30)
0.155 (3.94)
0.084 (2.13)
0.096 (2.44)
0.077 (1.95)
0.086 (2.20)
Cathode Band
DO-214AA (SMB-J-Bend)
0.085 MAX.
(2.159 MAX.)
0.220 REF
0.086 MIN.
(2.18 MIN.)
0.060 MIN.
(1.52 MIN.)
Mounting Pad Layout
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