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参数资料
| 型号： | SMBJ40A-TR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | SMBJ40A-TR |
Characteristics
SMBJ
2/10
Doc ID 5616 Rev 10
1
Characteristics
Figure 1.
Electrical characteristics - definitions
Figure 2.
Pulse definition for electrical characteristics
Table 1.
Absolute maximum ratings (Tamb = 25 °C)
Symbol
Parameter
Value
Unit
PPP
Peak pulse power dissipation (1)
Tj initial = Tamb
600
W
Tstg
Storage temperature range
-65 to +150
°C
Tj
Operating junction temperature range
-55 to +150
°C
TL
Maximum lead temperature for soldering during 10 s.
260
°C
1.
For a surge greater than the maximum values, the diode will fail in short-circuit.
Table 2.
Thermal resistances
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-l)
Junction to leads
20
°C/W
Rth(j-a)
Junction to ambient on recommended pad layout
100
°C/W
V
CLVBR VRM
I
RM
I
R
I
PP
V
I
RM
I
R
I
PP
V
RMVBR VCL
V
CLVBR VRM
I
RM
I
R
I
PP
V
I
RM
I
R
I
PP
V
RMVBR VCL
V
CL VBR VRM
I
RM
I
R
I
PP
V
I
F
V
F
V
CL VBR VRM
I
RM
I
R
I
PP
V
I
F
V
F
Unidirectional
Bidirectional
Symbol Parameter
V
Stand-off voltage
V
Breakdown voltage
V
Clamping voltage
I
Leakage current @ V
I
Peak pulse current
T
Voltage temperature coefficient
V
Forward voltage drop
R
Dynamic resistance
RM
BR
CL
RM
PP
F
D
α
Repetitive pulse current
tr = rise time (s)
tp = pulse duration time (s)
tp
t
tr
% Ipp
100
50
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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